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  Micro-display要求单个像素单元尺寸不超过100 μm,因此目前Micro-LED正向高度集成化、阵列可转移化以及全彩化发展。实现全彩化的Micro-display则需要在同一个像素区域上实现三原色(红、蓝、绿)亮
度的单独控制。在对高对比度、高分辨率有更高的追求情况下,实现全彩化的Micro-display仍然具有相当大的挑战。而量子点发光材料,具有较强的发光纯度和较低的光损失,通过单独的蓝光激发即可释放所需波
长的红光和绿光。本课题组拟延续QLED器件的先天性优势,借鉴现有的QD-OLED技术,基于QLED器件中的空穴注入/传输层,进行材料电学性质的调控(如价带位置,载流子浓度,迁移率等),通过调控空穴注入效
率来实现对每种发光材料的发光强度和效率的单独控制。本课题的研究目的是在硅基衬底上的CMOS驱动电路,基于无机量子点材料,在微米级别的像素尺寸上实现RGB三色光的单独控制,进而制备全彩、稳定、低功
耗的微显示屏幕。


图1 Micro-display的应用场景、基于量子点的单一像素三色光实现模型 (图片来源: AV Magzine: SumSung’s QD-OLED TV production plans and equipment)


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