邵龑高级工程师主要从事半导体薄膜的制备与表征、半导体光电器件的制备以及新型半导体光电器件的设计与研发等。已在IEEE T. Electron. Dev.，Nanoscale Res. Lett.，RSC Adv.等国际杂志发表学术论文近10篇。
1、教育及工作经历
2006年9月-2010年6月-南开大学信息技术科学学院，本科
2013年9月-2015年6月-北京大学软件与微电子学院，硕士研究生
2015年9月-2019年6月-复旦大学微电子学院，博士研究生
2019年7月-2024年1月-中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心，助理研究员
2024年1月-至今-中国科学院深圳先进技术研究院材料所光子信息与能源材料研究中心高级工程师
2、研究方向
基于新型半导体材料的光电器件开发、设计与优化。包括：
1）红外光电探测器与芯片的开发；
2）非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的分析与优化；
3）光电神经突触晶体管及其阵列的研究。
3、代表性论文
1）Y. Shao, X. Wu, M.-N. Zhang, W.-J. Liu, S.-J. Ding. High Performance a-InGaZnO Thin Film Transistors with Extremely Low Thermal Budget by Using a Hydrogen Rich Al2O3 Dielectric. Nanosca
-le Research Letters, 2019, Vol. 14:122.
2） L. Li#; Y. Shao#; X.-L. Wang; X. Wu; W.-J. Liu; S.-J. Ding; Flexible Femtojoule Energy-consumption In-Ga-Zn-O Synaptic Transistors with Extensively Tunable Memory Time, IEEE Transactio
-ns on Electron Devices, 2019, 99:1-8.
3）X.-L. Wang#; Y. Shao#; X. Wu; M.-N. Zhang; L. Li; W.-J. Liu; D. W. Zhang; S.-J. Ding; Light response behaviors of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors via in situ interfacial hydr
-ogen doping modulation, RSC Advances, 2020, 10: 3572-3578.
4） 邵龑,丁士进. 氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响. 物理学报, 2018, Vol. 67(9):098502.
5）M. Qian, Y. Shao, Y.-P. Wang, H.-M. Zheng, B. Zhu, W.-J. Liu, S.-J. Ding, D. W. Zhang. Rapid Improvement in Thin Film Transistors With Atomic-Layer Deposited InOx Channels via O2 Plasma
Treatment. IEEE Electron Device Letters, 2018, Vol. 39(11):1672-1675.
6）S.-B. Qian, Y. Shao, W.-J. Liu, D. W. Zhang, S.-J. Ding. Erasing-Modes Dependent Performance of a-IGZO TFT Memory with Atomic-Layer-Deposited Ni Nanocrystal Charge Storage Layer. IEEE
Transactions on Electron Devices, 2017, Vol. 64(7):3023-3027.
7）M. Qian, H.-M. Zheng, Y. Shao, B. Zhu, W.-J. Liu, S.-J. Ding, D. W. Zhang. Atomic-Layer-Deposition of Indium Oxide Nano-films for Thin-Film Transistors. Nanoscale Research Letters, 2018
, Vol. 13:4.
8）S.-B. Qian, Y.-P. Wang, Y. Shao, W.-J. Liu, S.-J. Ding. Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition of High-Density Ni Nanoparticles for Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor Memory. Na
-noscale Research Letters, 2017, Vol. 12:138.
