5月8日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张子旸教授应邀到中国科学院深圳先进技术研究院进行学术交流，作了题为《近红外、中红外半导体宽谱光源的研究》的学术讲座。
张子旸教授从近红外、中红外半导体宽谱光源的研究等方面进行了系统介绍和阐述，特别是提出了分别利用半导体量子点和量子级联结构作为有源区，通过优化材料的外延生长和器件波导结构工艺，得到了高性能的谱宽>300nm的近红外光源和第一支室温连续工作的中红外宽谱光源。这一研究为提高近红外OCT系统的功能，实现中红外OCT成像系统奠定了材料和器件基础。先进院的科研人员及研究生认真听取了报告，并与张子旸围绕近红外、中红外半导体宽谱光源等问题进行了讨论和交流。
张子旸，研究员，博士生导师，1997-2000年就读于长春光学精密机械与物理研究所，获硕士学位；2003年博士毕业于中国科学院半导体研究所。博士毕业后曾就职于日本东京工业大学、加拿大亚伯塔大学、英国国家三五族半导体中心；期间曾获日本“Japan Science and Technology”研究员；荣获了加拿大---“Alberta Ingenuity Fellowship”；获得英国EPSRC III-V National Centre永久研究员职位。2013年入选中组部青年千人计划；回国后加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，任研究员、博士生导师、课题组长。主要从事半导体材料和光电子器件、器件集成方面的研究工作。
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