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中科院宁波材料所戴明志研究员到先进院学术交流

2018-04-10

      4月10日上午,中国科学院宁波材料技术与工程研究所戴明志研究员来到中国科学院深圳先进技术研究院交流,并在B810会议室为大家带来题为“具有代表性的人工突触行为的实现及单器件门电路的研究”的精彩讲座。光子信息与能源材料研究中心主任杨春雷研究员主持报告会,三十余师生聆听了报告。 
      戴明志研究员围绕此次讲座主题,首先介绍了集成电路和微电子器件物理的发展情况,她提到集成电路是中国除石油外第一大进口产品,最关键的原因是加工尺寸持续缩小非常困难。虽然常规的方法是按比例缩小加工,但它受限于设备和材料。因此她提出了一种单器件逻辑电路来代替原来的多设备逻辑电路,这样,电路就可以很容易地缩小,而无需更新处理。而各项结果也表明,单器件电路有很大的潜力来满足集成电路扩展的要求。
戴明志研究员还分别从微纳芯片单器件门电路,微纳芯片单器件memory(DRAM),非晶氧化物器件物理三个方面重点阐述了通过电子控制和半定量建模的方法来研究具有代表性的人工突触行为的实现,并且她结合相关背景,思路,挑战和结果详细介绍。最后,她还提出了现阶段以及未来的三大基础研究方向:单器件逻辑运算电路工作记录与设计优化,硅基光伏器件设计及其光电转化机制和柔性电子传感器工作激励与设计。她也希望这些研究不仅能够带来一些学术上的成果,还可以实现运算电路,推动相关技术转移转化。
      在互动环节中,戴明志研究员与在座师生进行了良好的互动,耐心、详细地解答了听众们的提问,并给予了宝贵的建议与指导。 
      戴明志研究员长期从事微电子器件物理及相关光电器件优化工作。近五年承担国家自然科学基金、英国皇家工程院、中科院青促会及浙江省、宁波市等各类研究项目。发表一作论文10余篇,申请中国专利20项左右,授权4项,其中申请PCT专利1项。主要成果有:1)提出单器件门电路取代原有多器件门电路,缩小电路面积45%以上。基于14 nm工艺可以实现了10 nm工艺的电路面积。基于单器件门电路的模拟工作被Nano Letters发表。应邀在2014年MRS-ICYRAM国际会议,担任分会主席、做邀请报告。2) 实现了单器件存储器开发。研究成果获得2016国家自然基金面上项目。3)提出了仿生器件行为曲线的定量获取。研究提出了定量获得仿生行为的电学公式,发表在Scientific Reports。个人荣获2012年度中科院宁波所首届最佳论文。2012年中科院青促会会员,宁波市拔尖人才;2013年英国皇家工程院研发交流奖金;2014年宁波市3315创新团队成员;2017年承担浙江省杰出青年项目。


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